32
часа

Основы моделирования СВЧ-устройств в САПР Keysight Advanced Design System

Стоимость за одного участника
99 500 рублей
Дата проведения
15 апреля → 18 апреля
Выбрать другую дату
Зарегистрироваться
alt

Курс повышения квалификации рассчитан на инженерно-технических работников с высшим профессиональным образованием и направлен на приобретение знаний в области моделирования СВЧ-устройств в САПР Keysight Advanced Design System.

Слушателям, успешно прошедшим обучение, выдается удостоверение о повышении квалификации установленного образца.

Место проведения

Москва, набережная Космодамианская, 52с3, офис компании Keysight Technologies
Телефон: +7 499 504 1618

Посмотреть на карте

Программа обучения

День 1. Проекты и средства симуляции цепей

  • Детали использования ADS
  • Обзор проектов, библиотек, ячеек и технологий
  • Схемы, системы и компоненты цепей, подсхемы
  • Символы и динамический выбор модели
  • Основы источников сигнала, нагрузок и переменных
  • Основы симуляций: DC, S-параметры, Переходные процессы, Гармонический Баланс
  • Отображение результатов расчёта
  • Использование базы примеров и ассистентов разработки (синтез компонентов)

День 2. Симуляция цепей

  • Согласование импеданса
  • Техники оптимизации
  • Дисплей данных
  • Переменные и уравнения
  • Параметризация
  • Создание усилителя (при помощи демонстрационной PDK библиотеки)
  • 2-тональная симуляция усилителя методом Гармонического Баланса и обработка данных расчёта

День 3. Основы ЭМ симуляций

  • Основы создание электромагнитных моделей топологии при помощи симуляторов Momentum и FEM
  • Оптимизация при использовании параметризованных элементов топологии
  • Ко-симуляция электромагнитных моделей и компонентов схемы
  • Моделирование антенн, расчёт поля в дальней зоне, диаграммы направленности

День 4. Параметризация ЭМ компонентов, ко-симуляция и ко-оптимизация

  • Параметризация ЭМ компонентов – основа оптимизации схем при совместном моделировании топологии и компонентов схемы
  • Преобразование статических элементов геометрии в параметрические
  • Сравнение двух подходов к моделированию: объединение декомпозированных элементов и симуляция всей топологии за один расчёт
  • Моделирование проводников конечной толщины на примере LTCC индуктивностей
  • Создание AEL макросов для параметризации компонентов и преобразование их в ЭМ компоненты

 

Михаил Козлов
Преподаватель Михаил Козлов
Документ об окончании

В стоимость входит
  1. Раздаточные материалы
  2. Кофе-брейки
  3. Обед
Отзывы слушателей
Яндекс.Метрика