- Главная »
- Программы обучения »
- Лекторий »
- Наноэлектроника и приборы на квантовых эффектах (онлайн-лекция)
Наноэлектроника и приборы на квантовых эффектах (онлайн-лекция)
_690x480_65f.jpg)
Исходя из опыта, накопленного электронной индустрией, традиционная полупроводниковая электроника подступает к техническому пределу по части миниатюризации и увеличения быстродействия, что в дальнейшем приведёт к нарушению закона Мура и создаст необходимость поиска решений для нового класса электронных устройств. Развитие современных технологий открывает возможность для конструирования и исследования наноструктур с электронным спектром и свойствами, определяемыми квантово-механической природой. Использование квантовых эффектов в системах пониженной размерности — это принципиальная основа для значительного повышения степени интеграции, увеличения быстродействия и уменьшения потребляемой мощности устройств в электронике нового поколения. Лекция направлена на приобретение базовых знаний для разработчиков электронной аппаратуры, направленных на понимание квантовых эффектов, которые играют ключевую роль при разработке наноразмерных электронных устройств.
Лекция рассчитана на инженерно-технических работников с высшим профессиональным образованием (электроника и микроэлектроника, проектирование радиоэлектронных средств и т.п.), занимающихся проблемами миниатюризации и повышения степени интеграции электронных устройств, а также руководителей среднего звена проектных организаций.
Начало лекции в 19:00. Продолжительность лекции составляет 3 часа. Лекция проходит онлайн в формате Zoom-конференции.
Очное обучение: Москва, улица Березовая Аллея, дом 5А, строение 5. Учебный центр Новой Инженерной Школы Онлайн-обучение: Zoom-конференции
Телефон: +7 499 504 1618
Программа обучения
В результате освоения материалов лекции слушатель будет:
знать:
- современные тенденции развития электроники и вычислительной техники, возникающие при уменьшении размеров устройств квантовые эффекты;
- фундаментальные основы квантовой физики;
- научные и технологические основы наноэлектроники;
- методики экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, устройств и структур наноэлектроники различного функционального назначения;
уметь:
- учитывать современные тенденции развития электроники и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности, выявлять естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, связанной с увеличением степени интеграции и дальнейшей миниатюризацией устройств.
Перечень тем:
Тема 1. Введение. Актуальность изучения наноэлектроники, направления исследований.
Закон Мура. Базовые термины. Квантовые наноструктуры различной размерности: 0D-, 1D-, 2D-структуры. Степень интеграции и перспективы нанотехнологий. Основные направления исследований: сверхпроводящая электроника, магнитные наноструктуры, квантовые компьютеры.
Тема 2. Квантовые эффекты: туннельный эффект, размерные эффекты.
Введение в физику квантовых эффектов. Отличие спектра энергии объемного образца от наноразмерного. Туннельный эффект и его практическое применение. Размерные эффекты. Физические свойства, меняющиеся при переходе к наноразмерам.
Тема 3. Квантоворазмерные структуры и их применение: спиновый транспорт, сверхпроводники, нанотрубки.
Наноматериалы (углеродные нанотрубки, фуллерены, графен, оксидные наноматериалы) на современном этапе отечественной и зарубежной нанотехнологии. Спинтроника как перспективная область физики конденсированного состояния, практическое применение. Сверхпроводимость: явление, открытие, применение.
Тема 4. Методы изготовления и экспериментального исследования наноструктур.
Методы получения наноматериалов. Понятие об образовании зародышей: гомогенное и гетерогенное зародышеобразование. Получение сложных наноструктур. Исследование наноструктур – сканирующие микроскопы и принципы их действия, рефлектометрия.
Сертификат об участии
- Лекционное занятие